-
1 hole semiconductor
дырочный полупроводник
Полупроводник, электропроводность которого обусловлена в основном перемещением дырок проводимости.
[ ГОСТ 22622-77]
дырочный полупроводник
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Тематики
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > hole semiconductor
-
2 p-type semiconductor
дырочный полупроводник
Полупроводник, электропроводность которого обусловлена в основном перемещением дырок проводимости.
[ ГОСТ 22622-77]
дырочный полупроводник
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Тематики
EN
полупроводник p-типа
Полупроводниковый кристалл, содержащий небольшое количество легирующих атомов, имеющих на один внешний электрон меньше, чем другие атомы. Каждый легирующий атом приводит к появлению одного незанятого места, называемого дыркой, среди электронов на своих орбитах. Дырки положительно заряжены и фактически передвигаются, образуя электрический ток. В качестве легирующих добавок p-типа к кремнию обычно используется бор.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > p-type semiconductor
-
3 фотопроводимость
ФотопроводимостьУвеличение электрической проводимости полупроводника под действием света. Причина фотопроводимости - увеличение концентрации носителей заряда - электронов - в зоне проводимости и дырок - в валентной зоне. -
4 рhotoconductivity
ФотопроводимостьУвеличение электрической проводимости полупроводника под действием света. Причина фотопроводимости - увеличение концентрации носителей заряда - электронов - в зоне проводимости и дырок - в валентной зоне.Англо-русский словарь по нанотехнологиям > рhotoconductivity
-
5 подвижность
(Electron, and Hole)Подвижность (электрона, дырки)Подвижность носителей заряда - отношение скорости направленного движения носителей заряда в веществе под действием электрического поля к напряженности этого поля.1) В газе подвижность ионов и электронов обратно пропорциональна давлению газа, массе частиц и их средней скорости; подвижность электронов в несколько тысяч раз превосходит подвижность ионов.2) В твердом теле подвижности электронов проводимости и дырок зависят от процессов их рассеяния на дефектах и колебаниях решетки. 3) В растворах подвижность ионов определяется формулой = Fu, где F - постоянная Фарадея, u - скорость движения иона (в см/с) при напряженности электрического поля 1 В/см. Подвижность зависит от природы иона, а также от температуры, диэлектрической проницаемости, вязкости и концентрации раствора. -
6 mobility
(Electron, and Hole)Подвижность (электрона, дырки)Подвижность носителей заряда - отношение скорости направленного движения носителей заряда в веществе под действием электрического поля к напряженности этого поля.1) В газе подвижность ионов и электронов обратно пропорциональна давлению газа, массе частиц и их средней скорости; подвижность электронов в несколько тысяч раз превосходит подвижность ионов.2) В твердом теле подвижности электронов проводимости и дырок зависят от процессов их рассеяния на дефектах и колебаниях решетки. 3) В растворах подвижность ионов определяется формулой = Fu, где F - постоянная Фарадея, u - скорость движения иона (в см/с) при напряженности электрического поля 1 В/см. Подвижность зависит от природы иона, а также от температуры, диэлектрической проницаемости, вязкости и концентрации раствора.
См. также в других словарях:
критическая концентрация дырок проводимости полупроводника — критическая концентрация дырок Концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы критическая концентрация дырок … Справочник технического переводчика
Критическая концентрация дырок проводимости полупроводника — 30. Критическая концентрация дырок проводимости полупроводника Критическая концентрация дырок Концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
критическая концентрация дырок проводимости — критическая концентрация дырок проводимости; критическая концентрация дыроа Концентрация дырок проводимости, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны … Политехнический терминологический толковый словарь
ДЫРОК ТЕОРИЯ ДИРАКА — теоретич. модель вакуума физического, предложенная в 1930 П. А. М. Дираком (P. A. M. Dirac) для устранения трудностей релятивистской квантовой теории электрона (см. Дирака уравнение); привела к предсказанию существования античастиц, процессов… … Физическая энциклопедия
Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках, исчезновение пары электрон проводимости ‒ дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Избыток энергии может выделяться в виде излучения (излучательная Р.).… … Большая советская энциклопедия
рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — [hole electron recombination in semiconductors] исчезновение пары электронной проводимости дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Различают излучательную рекомбинацию (избыток энергии выделяется в виде… … Энциклопедический словарь по металлургии
ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
критическая концентрация дыроа — критическая концентрация дырок проводимости; критическая концентрация дыроа Концентрация дырок проводимости, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны … Политехнический терминологический толковый словарь
скомпенсированный полупроводник — Примесный полупроводник, в котором в нормальных условиях концентрации электронов проводимости и дырок проводимости одинаковы. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые … Справочник технического переводчика
Скомпенсированный полупроводник — 12. Скомпенсированный полупроводник Примесный полупроводник, в котором в нормальных условиях концентрации электронов проводимости и дырок проводимости одинаковы Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Газы — I Газы (французское gaz; название предложено голланским учёным Я. Б. Гельмонтом агрегатное состояние вещества, в котором его частицы не связаны или весьма слабо связаны силами взаимодействия и движутся свободно, заполняя весь… … Большая советская энциклопедия
